单晶硅片超精密磨削技术与设备 。摘要:结合单晶硅片的发展, 对 回顾了单晶硅片超精密磨削技术 与 设 备 的 发 展 历 程, 比 分 析 了 广 泛应用的转台式磨削、硅片旋转磨削和双面磨削等硅片磨削技术的原理及代表性设备的特点,讨论了用于单晶硅片平整化加工和背面减薄加工的低损伤磨削技术的进展,并对 单 晶 硅 片 磨 削 技 术 的 发 展 趋势进行了展望。 关键词:单晶硅片;超精密磨削;磨削设备;低损伤磨削;平整化;背面减薄 3 X 2 1 )8 1 6 9 中图分类号: N 0 1暋暋暋 文章编号:0 4—1 2 (0 0 1 —2 5 —0 T 3 5. 10 l - rc inGidn eh ooy n rn e fS io aes r s l Uta pei o rnigTc nlg a dGidro ic。
接磨削机床 削边磨削 磨削晶体 磨削硅 槽磨磨削技术制造加工价格,厂家,图片,其他技术服务,辽阳正大科技信息。029 釉面砖边缘的磨削方法[摘要] 本技术涉及一种釉面砖边缘的磨削方法，包括去除釉面砖边缘区域的釉层和磨削釉面砖已去除釉层区域的基体。其中去除釉面砖边缘区域的釉层可以采用对釉面砖进行倒角处理或采用仅对釉面砖边缘区域的釉层进行磨削处理的技术手段。本技术突破了传统生产工艺中将釉层和基体同时去除的磨削方案，将釉面与基体的磨削处理分开，先磨削釉层042 齿轮磨削加工方法[摘要] 本技术提供了一种齿轮磨削加工方法，包括：将待磨削加工齿轮的齿牙沿周向顺次分为少两个连续的组，再将每组内的齿牙顺次分为少两个连续的子组；在磨削时，首先顺次磨削各组内的个子组，然后顺次磨削各组内的个子组，078 技术轧辊磨削在线消磁装置[摘要] 技术轧辊磨削在线消磁装置涉及有伤轧辊修复装置。其解决目前磨削与消磁不同。
单晶硅片超精密磨削加工表面层损伤的研究。单晶硅片是集成电路(IC)制造过程中常用的衬底材料，硅片的表面层质量直接影响着器件的性能、成品率以及寿命。随着硅片尺寸的增大，新的硅片高效超精密平整化加工工艺得到了大量的研究，具有高效率、高精度、低损伤等优点的硅片自旋转磨削技术正逐步成为抛光硅片和图形硅片背面减薄的主流加工技术。本文在深入分析硅片加工表面层损伤的研究现状及存在问题的基础上，对硅片自旋转磨削加工表面层损伤进行了研究。 本文结合硅片加工表面层损伤形式，分析硅片加工表面层损伤的检测技术，通过大量试验确定硅片磨削加工表面层损伤检测技术与试验方案。通过...展开 单晶硅片是集成电路(IC)制造过程中常用的衬底材料，硅片的表面层质量直接影响着器件的性能、成品率以及寿命。随着硅片尺寸的增大，新的硅片高效超精密平整化加工工艺得到了大量的。
单晶硅片超精密磨削技术与设备-。霍凤伟;康仁科;赵福令;金洙吉;郭东明;;硅片纳米磨削过程中磨粒切削深度的测量[J];金刚石与磨料磨具工程;2006年05期 田业冰;郭东明;康仁科;金洙吉;;大尺寸硅片自旋转磨削的试验研究[A];全国生产工程第九届年会暨第四届青年科技工作者学术会议论文集（二）[C];2004年 吴明明;周兆忠;巫少龙;;单晶硅片的制造技术[A];届浙江中西部科技论坛论文集（卷）[C];2005年 郭东明;康仁科;金洙吉;;大尺寸硅片的高效超精密加工技术[A];制造业与未来中国——2002年中国机械工程学会年会论文集[C];2002年 云锋;立平;张广安;闫鹏勋;;碳化钛掺杂含氢类金刚石薄膜的力学和机械性能研究[A];2009年全国青年摩擦学学术会议论文集[C];2009年 沈燕;程慧茹;张德坤。
硅磨削 加工设备 - 矿机设备 价格。稳定性均匀性不仅取决于机床传动链，还与工件导轮及刀板的实际情况如工件高，刀板顶角等有关二外圆磨床磨削工件必须用套筒顶住，完成定心夹持，工件装卸相对麻烦一些上海气门厂前期曾经使用盘部外圆用整只转动套筒，杆端用半只开口呆套筒呆套筒指不转的套筒２只要是定位基准准确，机床有足够的精度，工件即可磨圆在磨削余量充足的条件下其形状精度不受工件表面原有精度影响曾有一些气门单位因材料来自钢厂为多角形材料,圆度质量较差,只能采用这种磨削工件的运动仅取决于机床传动链二气门杆部磨削加工工艺分析从上述分析特点可知，采用无心磨床磨削工件装卸方便，生产效率高，很适合应用于气门大批生产，但由于无心磨削时，磨削面是定位基准面，有许多不稳定因素存在，为保证质量，必须采取相应技术措施，结合加工工艺进行分析一加工阶段工序的划。
（机械制造及其自动化专业论文）单晶硅片超精密磨削加工表面层损伤的研究 。单晶硅片是集成电路（ＩＣ）制造过程中常用的衬底材料，硅片的表面层质量直接影响着器件的性能、成品率以及寿命。随着硅片尺寸的增大，新的硅片高效超精密平整化加工工艺得到了大量的研究，其中，具有高效率、高精度、低损伤等优点的硅片自旋转磨削技术正逐步成为抛光硅片和图形硅片背面减薄的主流加工技术。然而，磨削加工会不可避免地给硅片带来表面层损伤，该损伤会影响后续抛光工序的抛光时间和硅片的加工效率。目前，对硅片磨削表面层损伤机理的研究还不完善，深入研究硅片磨削表面层损伤机理对终实现硅片的高效率、高精度、无损伤、超光滑表面的加工有着重要的指导意义。本文在深入分析硅片加工表面层损伤的研究现状及存在问题的基础上，对硅片自旋转磨削加工表面层损伤进行了研究。论文的主要研究工作有：（１）结合硅片加工表面层损伤形式，。
